Một cảm biến chỗ đậu xe hay nắp hố ga được chứng nhận không chỉ vì khả năng sống sót trong mặt đường mà còn vì sóng vô tuyến của nó. Bài viết này phân tầng việc xác nhận pin của cảm biến: các thử nghiệm cơ học về chống xâm nhập IP68 và IK10/tải trọng, thử nghiệm nhiệt độ khắc nghiệt và lão hóa theo chu kỳ sự kiện nhằm dự đoán tuổi thọ thực địa, thử nghiệm xung khi lạnh bảo vệ đường truyền ngược quan trọng, cùng bằng chứng IEC/UN đằng sau các tế bào niken-kim loại hydrua: bộ hồ sơ biến tuyên bố năm năm thành một đặc tả thành phố thông minh có thể bảo vệ được.
IEC 60529 IP68 yêu cầu cảm biến kín phải sống sót khi ngâm liên tục –nền đường hoặc hố ga có thể bị ngập– và pin được kiểm tra bên trong vỏ thông qua các chu kỳ ngâm và ngưng tụ để xác nhận rằng các chân hàn và keo đổ không bị ăn mòn hay gây đoản mạch. Thử nghiệm va đập IEC 62262 IK10 và thử nghiệm tải tĩnh/lăn khoảng 15 tấn được thực hiện khi đã lắp bộ pin, xác minh không có đoản mạch bên trong, đứt mối hàn hay hỏng van xả áp dưới tác động cơ học của xe đang đậu hoặc đang quay đầu. Thử nghiệm rung phản ánh nhiều năm giao thông.
Cấu trúc tế bào kín cứng của NiMH và các chân hàn sống sót qua các thử nghiệm này tốt hơn các cụm dựa vào tiếp điểm lò xo, và bố cục bộ pin giữ cho mọi lỗ xả áp hướng ra xa thiết bị điện tử.
Cảm biến được chu kỳ hóa trên toàn dải từ -45 đến +85 °C. Thử nghiệm quyết định là đường truyền ngược của sự kiện ở mức lạnh cực điểm vào cuối tuổi thọ: cảm biến được ngâm lạnh, một sự kiện xe được đưa vào, và điện áp cung cấp được hiển thị trên máy hiện sóng trong cửa sổ phát và thu LoRaWAN/NB-IoT kèm các lần thử lại. Hình động thứ hai đối chiếu thiết kế pin sơ cấp cộng NiMH vẫn giữ khả năng xung sự kiện khi lạnh với thiết kế chỉ pin sơ cấp có tế bào bị thụ động hóa ngày càng sụt áp và bỏ lỡ đường truyền ngược khi già đi – lý do có thể đo lường cho bể dự trữ xung.
Ở mức nóng cực điểm, được xác minh rằng quản lý sạc của mọi pin NiMH sạc lại trong vỏ mặt đường bị nắng nung sẽ khóa hoặc giảm sạc trên 45 °C, ngăn việc sinh khí do sạc không kiểm soát ở nhiệt độ cao gây ra.
Tuổi thọ thực địa được dự đoán bằng cách nén nhiều năm vận hành: hàng nghìn chu kỳ lấy mẫu phát hiện và đường truyền ngược sự kiện ở tỷ lệ luân chuyển thấp, trung bình và cao, tín hiệu nhịp định kỳ và các phiên dịch vụ BLE, ngâm nhiệt ở giữa, với theo dõi liên tục dung lượng, điện trở trong và mức thành công của đường truyền ngược. Điều này xác nhận ngân sách năng lượng của bài B so với thực tế và cho thấy mức luân chuyển mà một bộ pin nhất định vượt mục tiêu năm hoặc mười năm – bằng chứng thành phố có thể dùng để quy định các lựa chọn năng lượng khác nhau cho chỗ đậu của cư dân so với bãi đậu thương mại.
Đối với các mô-đun NiMH sạc lại/thu năng lượng, thử nghiệm bổ sung hàng nghìn chu kỳ sạc một phần bằng năng lượng mặt trời/động năng và các lần chạy dự trữ ngày nhiều mây, xác nhận mô-đun không bao giờ cạn kiệt hoàn toàn và luôn giữ đủ năng lượng cho loạt xung sự kiện tiếp theo.
Pin không được làm suy giảm khả năng phát hiện hoặc truyền thông định nghĩa sản phẩm: độ chính xác phát hiện (các con số >99% của cảm biến hợp nhất hoặc 95–98% của cảm biến chỉ từ) được kiểm tra lại trên toàn dải điện áp pin và nhiệt độ, xác nhận pin yếu sẽ kích hoạt cảnh báo pin yếu thay vì tạo trạng thái chiếm chỗ sai hoặc bỏ lỡ sự kiện. Đường truyền ngược LoRaWAN/NB-IoT được kiểm tra ở mức suy hao đường truyền tối đa (gần ngưỡng thu -135 dBm) để đảm bảo bộ pin hỗ trợ các lần truyền dài hơn, nhiều năng lượng hơn mà vùng phủ yếu đòi hỏi.
Việc khởi tạo qua BLE được kiểm tra như lần xả dịch vụ trong trường hợp xấu nhất, xác nhận một phiên cấu hình đầy đủ không khiến pin thực địa mất khả năng gửi sự kiện tiếp theo.
IEC 62133-1 bao gồm an toàn tế bào và pin hệ niken kín, IEC 61951-2 các phương pháp hiệu năng gồm giữ điện tích và tham chiếu độ bền tối thiểu 500 chu kỳ, và vận chuyển UN 38.3 –theo đó NiMH được vận chuyển không bị hạn chế như pin lithium-hàng không, một lợi thế thực sự khi triển khai hàng nghìn cảm biến đến các kho thành phố. Các tế bào hàn, được ghép nối kèm cầu chì nhiệt, bảo vệ nối tiếp và NTC khiến các thử nghiệm tình huống lạm dụng trở nên đơn giản trong vỏ kín chịu tải.
Khi có thêm tế bào lithium sơ cấp, bằng chứng lithium của nó được giữ riêng và bảo vệ lai được lập hồ sơ để cho thấy tế bào sơ cấp và bể dự trữ NiMH tương tác an toàn trên toàn dải nhiệt độ.
Tập hợp các bản ghi IP68 và IK10/tải, các vết hiển thị máy hiện sóng về dải nhiệt rộng và xung lạnh, kết quả chu kỳ sự kiện và lão hóa theo luân chuyển, các thử nghiệm toàn vẹn phát hiện và suy hao đường vô tuyến, chứng chỉ IEC 62133-1 và IEC 61951-2 cùng tóm tắt UN 38.3, bên cạnh bảng tính năng lượng sự kiện. Cùng nhau chúng biến tuyên bố «cảm biến chôn ngầm năm năm» thành một đặc tả có thể chứng nhận và triển khai.
Đối với các nhà vận hành thành phố thông minh, bể dự trữ xung NiMH được định cỡ đúng, chịu được lạnh, hoặc một mô-đun sạc lại, là cách đáng tin cậy nhất để đảm bảo thông điệp duy nhất quan trọng –một chỗ đậu vừa được giải phóng, một nắp hố vừa bị dịch chuyển, một hố ga vừa bị ngập– được gửi đi, mỗi lần, trong toàn bộ tuổi thọ dưới mặt đường.
Weijiang Power cung cấp các tế bào niken-kim loại hydrua kín và mô-đun đệm sạc lại cho cảm biến phát hiện chỗ đậu không dây và nắp hố ga thông minh. Hãy cho chúng tôi biết nhiệm vụ lấy mẫu phát hiện, số sự kiện mỗi ngày, công nghệ vô tuyến, cấp độ cơ học và nhiệt độ cũng như có sử dụng thu năng lượng hay không, và các kỹ sư của chúng tôi sẽ thiết kế mô-đun NiMH hàn, chịu được lạnh hoặc bộ pin thay thế được kèm quản lý sạc và bảo vệ. Xem các định dạng trên trang sản phẩm.
